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懒小木 -半导体器件建模仿真与分析教程

懒小木 -半导体器件建模仿真与分析教程是什么资源?

核心结论:这是一个关于半导体器件建模仿真与分析的教程,包含40个视频文件,总共38.7G。通过这个教程,你可以掌握半导体器件建模仿真与分析的基本原理和方法,解决半导体器件建模仿真与分析中的实际问题。

参数 详情
文件数量 116个
资源格式 高清视频课程
资源类型 教程课程

谁需要这份教程课程资源?

适合学习和工作于半导体领域的工程师和研究人员。他们面临的问题是缺乏系统的半导体器件建模仿真与分析知识,导致在实际工作中遇到困难。这个教程可以帮助他们解决这些问题,提高工作效率。

为什么选择这份教程课程资源?

  • 完整度高:包含从入门到进阶的全部40个视频文件,总共38.7G
  • 实用性强:通过实际案例演示和视频讲解,帮助学习者快速掌握半导体器件建模仿真与分析的基本原理和方法
  • 系统性强:覆盖半导体器件建模仿真与分析的所有主要方面,包括半导体物理基础、半导体器件物理、数值求解、二维MOSFET的建模等

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这份资源包含哪些具体内容?

这个教程包含了半导体器件建模概述、半导体物理基础、半导体器件物理、数值求解、二维MOSFET的建模、Trench IGBT的建模、MOSFET器件静态与瞬态特性的求解、交流小信号分析等内容。每个章节都通过视频讲解和实际案例演示,帮助学习者深入理解半导体器件建模仿真与分析的基本原理和方法。

├── 0001--1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4
├── 0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4
├── 0001--1.3-半导体器件物理简述.mp4
├── 0001--1.4-一维PN结的数值求解.mp4
├── 0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4
├── 0001--2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4
├── 0001--2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4
├── 0001--2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4
├── 0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理(二).mp4
├── 0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4
├── 0001--3-10-交流小信号分析.mp4
├── 0001--3-11-交流小信号分析(二).mp4
├── 0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4
├── 0001--3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4
├── 0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4
├── 0001--3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4
├── 0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4
├── 0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理(一).mp4
├── 0001--3-3-器件仿真中的物理模型(一).mp4
├── 0001--3-4_物理模型(二)与温度仿真.mp4
├── 0001--3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4
├── 0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4
├── 0001--3-7-混合模式(二)-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4
├── 0001--3-8-缺陷与辐照特性仿真(单粒子效应与总剂量效应).mp4
├── 0001--3-9-缺陷(二)与辐照特性仿真(总剂量效应).mp4
├── 0001--4-1_-半导体工艺技术简述.mp4
├── 0001--工艺仿真提前梳理(临时).mp4
├── 0002--4-2_版图绘制基础(上).mp4
├── 0003--4-3-版图绘制(中)-Cell处理与实用小工具.mp4
├── 0004--4-4-版图绘制(下)-派生图层与宏命令编写.mp4
├── 0005--4-5-工艺仿真基础(一).mp4
├── 0006--4-6-工艺仿真基础(二)-Static与Adaptive网格设置.mp4
├── 0007--4-7-工艺仿真基础(三)(上).mp4
├── 0008--4-8-工艺仿真基础(三)(下).mp4
├── 0009--4-9基于ICWBEV的工艺仿真,实现纵向和横向设计的完美分离,提高仿真效率.mp4
├── 0010--4-10-基于ICWBEV的工艺仿真(二)与光电二极管仿真.mp4
├── 0011--4-11-sprocess结构生成(刻蚀、淀积)与MGOALS.mp4
└── 0012--4-12_离子注入仿真(上).mp4
├── 0001--1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4
├── 0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4
├── 0001--1.3-半导体器件物理简述.mp4
├── 0001--1.4-一维PN结的数值求解.mp4
├── 0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4
├── 0001--2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4
├── 0001--2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4
├── 0001--2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4
├── 0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理(二).mp4
├── 0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4
├── 0001--3-10-交流小信号分析.mp4
├── 0001--3-11-交流小信号分析(二).mp4
├── 0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode).mp4
├── 0001--3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4
├── 0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4
├── 0001--3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4
├── 0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4
├── 0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理(一).mp4
├── 0001--3-3-器件仿真中的物理模型(一).mp4
├── 0001--3-4_物理模型(二)与温度仿真.mp4
├── 0001--3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4
├── 0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4
├── 0001--3-7-混合模式(二)-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4
├── 0001--3-8-缺陷与辐照特性仿真(单粒子效应与总剂量效应).mp4
├── 0001--3-9-缺陷(二)与辐照特性仿真(总剂量效应).mp4
├── 0001--4-1_-半导体工艺技术简述.mp4
├── 0001--工艺仿真提前梳理(临时).mp4
├── 0002--4-2_版图绘制基础(上).mp4
├── 0003--4-3-版图绘制(中)-Cell处理与实用小工具.mp4
├── 0004--4-4-版图绘制(下)-派生图层与宏命令编写.mp4
├── 0005--4-5-工艺仿真基础(一).mp4
├── 0006--4-6-工艺仿真基础(二)-Static与Adaptive网格设置.mp4
├── 0007--4-7-工艺仿真基础(三)(上).mp4
├── 0008--4-8-工艺仿真基础(三)(下).mp4
├── 0009--4-9基于ICWBEV的工艺仿真,实现纵向和横向设计的完美分离,提高仿真效率.mp4
├── 0010--4-10-基于ICWBEV的工艺仿真(二)与光电二极管仿真.mp4
├── 0011--4-11-sprocess结构生成(刻蚀、淀积)与MGOALS.mp4
└── 0012--4-12_离子注入仿真(上).mp4
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├── 0001--1.1-半导体器件建模概述_linux基础与软件安装.mp4 (1.0GB)
├── 0001--1.2-半导体物理基础简述.mp4 (706.5MB)
├── 0001--1.3-半导体器件物理简述.mp4 (650.0MB)
├── 0001--1.4-一维PN结的数值求解.mp4 (662.6MB)
├── 0001--2-3__TDR文件的后处理与SJ-LDMOS结构建模.mp4 (1.4GB)
├── 0001--2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4 (1.4GB)
├── 0001--2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4 (955.5MB)
├── 0001--2.1-二维MOSFET的建模与SWB的基本原理.mp4 (1.2GB)
├── 0001--2.2-Trench_IGBT的建模与SWB的基本原理(二).mp4 (1.5GB)
├── 0001--3-1-MOSFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4 (1.7GB)
├── 0001--3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理(一).mp4 (1.5GB)
├── 0001--3-3-器件仿真中的物理模型(一).mp4 (1.2GB)
├── 0001--3-4_物理模型(二)与温度仿真【公众号:密知圈】.mp4 (1.2GB)
├── 0001--3-5_碰撞电离与击穿特性仿真.mp4 (1.1GB)
├── 0001--3-6_SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真【公众号:密知圈】.mp4 (1.3GB)
├── 0001--3-7-混合模式(二)-修改SPICE模型参数___SVISUAL动画自动生成.mp4 (1.3GB)
├── 0001--3-8-缺陷与辐照特性仿真(单粒子效应与总剂量效应).mp4 (1.3GB)
├── 0001--3-9-缺陷(二)与辐照特性仿真(总剂量效应).mp4 (736.0MB)
├── 0001--3-10-交流小信号分析【公众号:密知圈】.mp4 (993.9MB)
├── 0001--3-11-交流小信号分析(二).mp4 (960.8MB)
├── 0001--3-12-模型参数修改与新建材料(Ga2O3_MOSFET与SiGe_Diode)【公众号:密知圈】.mp4 (1.3GB)
├── 0001--3-13-隧穿模型与隧穿器件【公众号:密知圈】.mp4 (715.4MB)
├── 0001--3-14-非完全电离_各向异性与SiC_MOSFET仿真.mp4 (1008.4MB)
├── 0001--3-15_极化效应与GaN_HEMT.mp4 (549.2MB)
├── 0001--3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4 (1.2GB)
├── 0001--4-1_-半导体工艺技术简述.mp4 (529.7MB)
├── 0001--工艺仿真提前梳理(临时).mp4 (697.3MB)
├── 0002--4-2_版图绘制基础(上).mp4 (514.3MB)
├── 0003--4-3-版图绘制(中)-Cell处理与实用小工具.mp4 (1.2GB)
├── 0004--4-4-版图绘制(下)-派生图层与宏命令编写【公众号:密知圈】.mp4 (1.0GB)
├── 0005--4-5-工艺仿真基础(一)【公众号:密知圈】.mp4 (1.6GB)
├── 0006--4-6-工艺仿真基础(二)-Static与Adaptive网格设置.mp4 (1.4GB)
├── 0007--4-7-工艺仿真基础(三)(上).mp4 (755.5MB)
├── 0008--4-8-工艺仿真基础(三)(下).mp4 (392.9MB)
├── 0009--4-9基于ICWBEV的工艺仿真,实现纵向和横向设计的完美分离,提高仿真效率.mp4 (677.9MB)
├── 0010--4-10-基于ICWBEV的工艺仿真(二)与光电二极管仿真【公众号:密知圈】.mp4 (1001.7MB)
├── 0011--4-11-sprocess结构生成(刻蚀、淀积)与MGOALS.mp4 (1022.5MB)
├── 0012--4-12_离子注入仿真(上).mp4 (702.8MB)
└── 懒小木 - 半导体器件建模仿真与分析教程资料.png (493.5KB)

如何下载和使用这份资源?

如何使用这个教程?直接下载视频文件,并使用视频播放器播放即可。建议学习者按照教程的顺序学习,先从基本原理开始,逐步深入到进阶内容。通过这个教程,你可以快速掌握半导体器件建模仿真与分析的基本原理和方法,提高工作效率。

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关于懒小木 -半导体器件建模仿真与分析教程的常见问题

这个教程适合什么人学习?

适合学习和工作于半导体领域的工程师和研究人员

这个教程包含什么内容?

包含半导体器件建模概述、半导体物理基础、半导体器件物理、数值求解、二维MOSFET的建模等内容

这个教程的文件格式是什么?

视频文件(MP4)


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